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半導體技術雜志 北大期刊 統計源期刊

主管單位:中國電子科技集團公司  主辦單位:中國電子科技集團公司第十三研究所

月刊  審稿周期:預計1-3個月  全年訂價:¥316.00

《半導體技術》由趙小寧擔任主編,創刊于1976年,由中國電子科技集團公司主管、中國電子科技集團公司第十三研究所主辦的一本電子領域專業期刊。主要刊載該領域內的原創性研究論文、綜述和評論等,力求及時、準確、全面的反映該領域的政策、技術、應用市場及動態。

  • 13-1109/TN 國內刊號
  • 1003-353X 國際刊號
  • 2255 發文量
  • 0.34 影響因子
  • 7023 總被引量
  • 18-65 郵發代號
  • 1976 創刊時間

半導體技術期刊信息

  • 出版語言:中文
  • 創刊時間:1976年
  • 國際刊號:1003-353X
  • 曾用名:半導體技術
  • 紙張開本:A4
  • 國內刊號:13-1109/TN
  • 出版地區:河北
  • 發行周期:月刊
  • 郵發代號:18-65

半導體技術期刊榮譽

半導體技術投稿須知

1.注釋一律采用腳注,且須標明相應的作者、篇名、出版社(或雜志名)、年份(或年期)及頁碼。

2.引文標注采用文后注形式,采用[1][2][3]……的形式統一編碼。文獻征引請使用參考文獻標準格式。

3.表格全部采用三線表,插圖中的文字采用小5號宋體加粗,每張插圖的寬度不要超過200px,一律用Word文檔制作。

4.正文標題:內容應簡潔、明了,層次不宜過多,層次序號為一、(一)、1、(1),層次少時可依次選序號。

5.作者切忌一稿多投,3個月內未收到我刊任何回復,即可將稿件另行處理。無論文章采用與否,均不予退稿,請作者自留底稿。

半導體技術編輯部聯系方式

地址:石家莊市合作路113號

郵編:50051

主編:趙小寧

半導體技術發文選摘

  • 1、征稿通知 第13屆國際專用集成電路會議

    作者:--

  • 2、金剛石基GaN HEMT技術發展現狀和趨勢

    作者:趙金霞

  • 3、基于InGaAs蓋革模式APD探測器的主動淬滅電路設計

    作者:楊赟秀; 袁菲; 路小龍; 景立; 鄧世杰; 咼長冬; 宋海智; 張偉

  • 4、一種性能指標可配置的SAR ADC的設計與實現

    作者:居水榮; 謝亞偉; 王津飛; 朱樟明

  • 5、SiC MOSFET的短路特性

    作者:高勇; 喬小可; 孟昭亮; 楊媛

  • 6、基于噴墨打印的In2O3/IGZO TFT的電學性能

    作者:梁坤; 邵霜霜; 羅慢慢; 謝建軍; 趙建文; 崔錚

  • 7、雙溝道脊波導InGaAsP/InGaAsP半導體激光器的溫度分布仿真

    作者:李曉; 張瑞英; 郭春揚; 趙岳

  • 8、基于Statz模型的射頻MOSFET非線性電容建模

    作者:薛佳男; 劉逸哲; 高建軍

  • 9、n型雙面TOPCon太陽電池鈍化技術

    作者:于波; 史金超; 李鋒; 龐龍; 劉克銘; 于威

  • 10、圖形化藍寶石襯底表面原位處理對GaN外延薄膜的影響

    作者:盛百城; 白欣嬌; 唐蘭香; 甘琨; 袁鳳坡

半導體技術期刊評價分析

年發文量和被引次數
影響因子和立即指數

半導體技術期刊評價報告

年份 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022
被引次數 532 571 633 562 608 578 621 688 659 659
影響因子 0.18 0.22 0.22 0.28 0.28 0.31 0.4 0.47 0.57 0.49
立即指數 0.04 0.03 0.08 0.06 0.1 0.11 0.1 0.09 0.13 0.06
發文量 192 181 170 176 162 151 161 150 152 150
被引半衰期 5.65 6.04 6.78 6.4 7.04 7.32 7.01 6.78 5.18 6.09
引用半衰期 4.57 5.19 5.38 5.91 4.43 4.89 3.86 4.93 4.75 4.62
期刊他引率 0.9 0.88 0.88 0.86 0.88 0.89 0.86 0.81 0.79 0.9
平均引文率 11.1 11.3 13.3 14.6 17.5 17.1 16.1 19.8 19.5 19

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