固體電子學研究與進展雜志 統計源期刊
主管單位：中國電子科技集團公司 主辦單位：南京電子器件研究所
雙月刊 審稿周期：預計1-3個月 全年訂價：￥220.00
《固體電子學研究與進展》由楊乃彬擔任主編，創刊于1981年，由中國電子科技集團公司主管、南京電子器件研究所主辦的一本電子領域專業期刊。主要刊載該領域內的原創性研究論文、綜述和評論等，力求及時、準確、全面的反映該領域的政策、技術、應用市場及動態。
- 32-1110/TN 國內刊號
- 1000-3819 國際刊號
- 1277 發文量
- 0.29 影響因子
- 2651 總被引量
- 1981 創刊時間
固體電子學研究與進展期刊信息
- 出版語言：中文
- 創刊時間：1981年
- 國際刊號：1000-3819
- 主編：楊乃彬
- 紙張開本：A4
- 國內刊號：32-1110/TN
- 出版地區：江蘇
- 發行周期：雙月刊
固體電子學研究與進展期刊榮譽
固體電子學研究與進展投稿須知
1.本刊力倡引用正式出版物。中文文獻題名應使用書名號。
2.投稿請注明作者姓名、單位、電話、郵編和詳細通訊地址。
3.稿件請附3－6個能反映論文主題的中英文對照的關鍵詞。
4.文責自負。依照《著作權法》的有關規定，編輯部保留對來稿作文字修改、刪節的權利，不同意改動者務請注明。
5.“作者簡介”置于首頁腳注處；基金項目請在文章首頁腳注處寫明項目來源和課題編號。
固體電子學研究與進展編輯部聯系方式
地址：南京1601信箱43分箱
郵編：210016
主編：楊乃彬
固體電子學研究與進展發文選摘
-
1、X波段400 W GaN內匹配功率管
作者：唐世軍; 顧黎明; 陳韜; 彭勁松
-
2、0.3～2.0 GHz 100 W GaN超寬帶功率放大器
作者：徐永剛; 楊興; 鐘世昌
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3、場板結構對AlGaN/GaN HEMT溫度場的影響
作者：邵宏月; 張明蘭; 王影影
-
4、短溝道MOSFET源漏寄生電阻的二維半解析模型
作者：常紅; 王亞洲; 柯導明
-
5、L波段載板式雙平衡限幅低噪聲放大器
作者：李建平; 凌志健
-
6、基于45 nm SOI工藝的超寬帶毫米波單刀雙擲開關的設計
作者：韋俞鴻; 黃冰; 孫曉瑋; 張潤曦; 張健
-
7、基于徑向貼片和U形槽的新型雙陷波超寬帶天線
作者：師婭楠; 張斌珍; 段俊萍; 徐永慶; 徐洪成
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8、基于六角T型諧振器的小型化低通濾波器的設計
作者：張友俊; 溫殿蕓
-
9、射頻功率放大器互連可靠性的神經網絡建模研究
作者：林倩
-
10、星載微波固態大功率組件預防微放電效應工藝研究
作者：劉煒; 王仁軍; 陳梁; 洪希依; 莊緒德; 褚士震
固體電子學研究與進展期刊評價分析
年發文量和被引次數
影響因子和立即指數
固體電子學研究與進展期刊評價報告
| 年份 | 2013 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 |
| 被引次數 | 193 | 190 | 224 | 239 | 244 | 260 | 248 | 207 | 261 | 265 |
| 影響因子 | 0.18 | 0.19 | 0.29 | 0.2 | 0.22 | 0.28 | 0.29 | 0.28 | 0.43 | 0.44 |
| 立即指數 | 0.02 | 0.01 | 0.02 | 0.02 | 0.05 | 0.04 | 0.01 | 0.07 | 0.09 | 0.07 |
| 發文量 | 122 | 120 | 118 | 105 | 88 | 85 | 87 | 85 | 85 | 90 |
| 被引半衰期 | 5.53 | 5 | 4.7 | 5.88 | 5.06 | 5.52 | 5.24 | 5.36 | 5.36 | 4.75 |
| 引用半衰期 | 4.4 | 4.92 | 4.26 | 5.04 | 5.39 | 5.42 | 5.65 | 5.35 | 5.17 | 4.98 |
| 期刊他引率 | 0.77 | 0.78 | 0.75 | 0.82 | 0.85 | 0.82 | 0.83 | 0.82 | 0.86 | 0.84 |
| 平均引文率 | 9.1 | 9.4 | 7.6 | 2.6 | 10 | 10.9 | 11.6 | 12.3 | 13.9 | 12.3 |
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